核心应用领域

（一）半导体与电子领域（电子级）

锗硅外延生长：1%-3%锗烷-氢/氩混合气，用于SiGe外延层（高频射频芯片/光电探测器），杂质O₂致缺陷密度升至10⁴cm⁻²；

量子点制备：3%-5%锗烷-氮混合气，合成Ge/Si量子点（量子计算/红外传感），杂质H₂O致尺寸偏差＞5%。

（二）光电与材料领域（工业级）

红外光学涂层：4%-5%锗烷-氩混合气，制二氧化锗增透涂层（红外热像仪），杂质O₂致透光率降8%；

新型半导体材料：2%-3%锗烷-氮混合气，锗基钙钛矿掺杂（提光伏效率）。

（三）其他领域

科研实验：1%-2%锗烷-氩混合气，作锗源标准气（Ge掺杂YBCO超导研究）；

金属改性：3%-4%锗烷-氩混合气，金属锗化物涂层（航空零部件耐腐）。

规范与操作指南

（一）储存要求

容器与环境：316L钝化钢瓶（15MPa，内壁锗烷钝化），标注“剧毒+易燃+防湿”，检验周期8个月；≤22℃干燥防爆库，底部排风≥30次/小时，距空气/水/氧化剂≥50米，配锗烷探测器（1ppmTWA）、氧检测仪，设干粉灭火+5%碱吸收池；

管理要求：钢瓶离地≥40cm固定，余压≥0.3MPa，电子级/工业级分存，禁含水物品。

（二）运输规范

UN分类：2.3类剧毒+2.1类易燃（UN2192，I类），贴“剧毒+易燃+防静电+防湿”，配呼吸器/解毒剂（二巯基丙醇）/干粉灭火器；

要求：①公路：全密闭防爆车（惰性气吹扫+温压监控），车速≤38km/h，避＞32℃/雨雪；②铁路/航空：单批≤3瓶，单独防爆舱（充氮），禁混运化学品。

（三）操作与应急

操作禁忌：持专项证（毒性累积考核），穿氟橡胶防化服+正压呼吸器；开阀≤0.2圈（蒙乃尔减压器，禁铜/镍）；管线用聚四氟乙烯衬里（漏率≤10⁻¹⁰Pa・m³/s）；密闭空间3人监护，每5分钟测浓度；

处置：①泄漏：撤上风向50米，开排风+碱吸收，氦质谱检漏，氮气吹扫至＜0.5ppm；②中毒：皮肤用无水乙醇擦+氧化锌软膏，吸入吸氧+二巯基丙醇，医监肺功能72小时；③火灾：断气源，干粉灭火（禁水/CO₂），雾状水冷钢瓶（禁搬）。

（四）废弃处置

余气经10%碱塔吸收（生锗酸钾+氢气单独燃烧），钢瓶氮置换至＜0.1ppm+钝化检测后专业回收。